Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK40A06N1,S4X(S
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 7,60
€ 0,76 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)
€ 9,50
€ 0,95 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)
10
€ 7,60
€ 0,76 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)
€ 9,50
€ 0,95 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
10
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,76 | € 7,60 |
| 50+ | € 0,50 | € 5,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda