N-Channel MOSFET, 61.8 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK62N60W5,S1VF(S

RS kataloški broj:: 125-0585robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK62N60W5,S1VF(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

61.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

45 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

400 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.02mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

15.94mm

Typical Gate Charge @ Vgs

205 nC @ 10 V

Height

20.95mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Detalji o proizvodu

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 61.8 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK62N60W5,S1VF(S

1

Dostupno u više komada 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 61.8 A, 600 V, 3-Pin TO-247 Toshiba TK62N60W5,S1VF(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1

Dostupno u više komada 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

61.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

45 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

400 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.02mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

15.94mm

Typical Gate Charge @ Vgs

205 nC @ 10 V

Height

20.95mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Detalji o proizvodu

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više