Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK72E08N1,S1X(S
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
U-MOSVIII-H
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
192 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
15.1mm
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 9,65
€ 1,93 komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)
€ 12,06
€ 2,412 komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)
5
€ 9,65
€ 1,93 komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)
€ 12,06
€ 2,412 komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
5
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,93 | € 9,65 |
| 25 - 45 | € 1,18 | € 5,90 |
| 50+ | € 1,12 | € 5,60 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
U-MOSVIII-H
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
192 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
15.1mm
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda