Toshiba TK N-Channel MOSFET, 72 A, 120 V, 3-Pin TO-220 TK72E12N1,S1X(S
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
225 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
130 nC @ 10 V
Height
15.1mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 139,00
€ 2,78 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 173,75
€ 3,475 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
50
€ 139,00
€ 2,78 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 173,75
€ 3,475 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,78 | € 139,00 |
| 250+ | € 2,75 | € 137,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
225 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
130 nC @ 10 V
Height
15.1mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda