Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET, 38 A, 30 V, 8-Pin SOP TPH8R903NL,LQ(S
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
U-MOSVIII-H
Package Type
SOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
12.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
24 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.95mm
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 10,40
€ 0,52 komadno (u pakiranju od 20) (bez PDV-a)
€ 13,00
€ 0,65 komadno (u pakiranju od 20) (s PDV-om)
20
€ 10,40
€ 0,52 komadno (u pakiranju od 20) (bez PDV-a)
€ 13,00
€ 0,65 komadno (u pakiranju od 20) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
20
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,52 | € 10,40 |
| 100+ | € 0,49 | € 9,80 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
U-MOSVIII-H
Package Type
SOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
12.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
24 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.95mm
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda