Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET, 22 A, 80 V, 8-Pin TSON TPN30008NH,LQ(S
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
U-MOSVIII-H
Package Type
TSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.1mm
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.85mm
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 9,00
€ 0,45 komadno (u pakiranju od 20) (bez PDV-a)
€ 11,25
€ 0,562 komadno (u pakiranju od 20) (s PDV-om)
20
€ 9,00
€ 0,45 komadno (u pakiranju od 20) (bez PDV-a)
€ 11,25
€ 0,562 komadno (u pakiranju od 20) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
20
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
U-MOSVIII-H
Package Type
TSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.1mm
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.85mm
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda