P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
3.04mm
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Series
TrenchFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.02mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 0,27
Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 0,338
Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
€ 0,27
Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 0,338
Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
3.04mm
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Series
TrenchFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.02mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda