N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3

RS kataloški broj:: 178-3901brend: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SiA106DJ-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

19 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.280

RSD 128,022 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)

RSD 1.536

RSD 153,626 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10RSD 1.280
20RSD 2.560
30RSD 3.841
40RSD 5.121
50RSD 5.879
60RSD 7.054
70RSD 8.230
80RSD 9.406
90RSD 10.581
100RSD 11.496
110RSD 12.645
120RSD 13.795
130RSD 14.945
140RSD 16.094
150RSD 17.244

RSD 1.280

RSD 128,022 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)

RSD 1.536

RSD 153,626 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10RSD 1.280
20RSD 2.560
30RSD 3.841
40RSD 5.121
50RSD 5.879
60RSD 7.054
70RSD 8.230
80RSD 9.406
90RSD 10.581
100RSD 11.496
110RSD 12.645
120RSD 13.795
130RSD 14.945
140RSD 16.094
150RSD 17.244

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
10 - 40RSD 128,022RSD 1.280
50 - 90RSD 117,571RSD 1.176
100 - 490RSD 114,959RSD 1.150
500 - 990RSD 112,346RSD 1.123
1000+RSD 101,895RSD 1.019

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

19 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više