P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3

RS kataloški broj:: 178-3697robna marka: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SiSH617DN-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

1212

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

39 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Width

3.15mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.07mm

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

1212

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

39 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Width

3.15mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.07mm

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više