Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 SiZ350DT-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAIR 3 x 3
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
16.7 W
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Width
3mm
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.75mm
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 1.530,00
€ 0,51 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 1.912,50
€ 0,638 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
€ 1.530,00
€ 0,51 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 1.912,50
€ 0,638 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAIR 3 x 3
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
16.7 W
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Width
3mm
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.75mm
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda