Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF906ADT-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAIR 6 x 5F
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
83 W
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
6mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
100 (Channel 2) nC @ 10 V, 24.5 (Channel 1) nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.7mm
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
3000
Cijena na upit
Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAIR 6 x 5F
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
83 W
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
6mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
100 (Channel 2) nC @ 10 V, 24.5 (Channel 1) nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.7mm
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda