Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 2.68 A, 20 V, 6-Pin SC-70-6L SQA401EEJ-T1_GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.68 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
TrenchFET
Package Type
SC-70-6L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
13.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 900,00
€ 0,30 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 1.125,00
€ 0,375 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
€ 900,00
€ 0,30 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 1.125,00
€ 0,375 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.68 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
TrenchFET
Package Type
SC-70-6L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
13.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda