Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK SQD40031EL_GE3

RS kataloški broj:: 178-3950robna marka: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SQD40031EL_GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

186 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

6.22mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Zemlja podrijetla

Taiwan, Province Of China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 16,90

€ 1,69 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

€ 21,12

€ 2,112 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK SQD40031EL_GE3
Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10€ 16,90
20€ 33,80
30€ 50,70
40€ 67,60
50€ 84,50
60€ 101,40
70€ 118,30
80€ 135,20
90€ 152,10
100€ 147,00
110€ 161,70
120€ 176,40
130€ 191,10
140€ 205,80
150€ 220,50

€ 16,90

€ 1,69 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

€ 21,12

€ 2,112 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK SQD40031EL_GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10€ 16,90
20€ 33,80
30€ 50,70
40€ 67,60
50€ 84,50
60€ 101,40
70€ 118,30
80€ 135,20
90€ 152,10
100€ 147,00
110€ 161,70
120€ 176,40
130€ 191,10
140€ 205,80
150€ 220,50

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinajedinična cijenaPo pakiranje
10 - 90€ 1,69€ 16,90
100 - 490€ 1,47€ 14,70
500 - 990€ 1,34€ 13,40
1000+€ 1,21€ 12,10

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

186 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

6.22mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Zemlja podrijetla

Taiwan, Province Of China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više