Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 24.5 A, 150 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ872EP-T1_GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24.5 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
55 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 2.310,00
€ 0,77 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 2.887,50
€ 0,962 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
€ 2.310,00
€ 0,77 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 2.887,50
€ 0,962 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24.5 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
55 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda