Vishay 2N4393-E3 N-Channel JFET, Idss 5 → 30mA, 3-Pin TO-206AA

RS kataloški broj:: 708-2832robna marka: VishayProizvođački broj:: 2N4393-E3
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

5 → 30mA

Maximum Gate Source Voltage

-40 V

Maximum Drain Gate Voltage

-40V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

100 Ω

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-206AA

Pin Count

3

Dimensions

5.84 x 5.84 x 5.33mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+200 °C

Length

5.84mm

Height

5.33mm

Width

5.84mm

Detalji o proizvodu

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

Vishay 2N4393-E3 N-Channel JFET, Idss 5 → 30mA, 3-Pin TO-206AA

1

Dostupno u više komada 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Vishay 2N4393-E3 N-Channel JFET, Idss 5 → 30mA, 3-Pin TO-206AA
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1

Dostupno u više komada 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

5 → 30mA

Maximum Gate Source Voltage

-40 V

Maximum Drain Gate Voltage

-40V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

100 Ω

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-206AA

Pin Count

3

Dimensions

5.84 x 5.84 x 5.33mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+200 °C

Length

5.84mm

Height

5.33mm

Width

5.84mm

Detalji o proizvodu

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više