Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4.1A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3Ω
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.8V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
78nC
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
Single
Standards/Approvals
IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
€ 111,50
€ 2,23 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 139,38
€ 2,788 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
50
€ 111,50
€ 2,23 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 139,38
€ 2,788 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
| količina | jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,23 | € 111,50 |
| 100 - 200 | € 2,13 | € 106,50 |
| 250 - 450 | € 2,00 | € 100,00 |
| 500 - 1200 | € 1,96 | € 98,00 |
| 1250+ | € 1,91 | € 95,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4.1A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3Ω
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.8V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
78nC
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
Single
Standards/Approvals
IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda