Vishay N-Channel MOSFET, 46 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC IRFP260PBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 100,00
€ 4,00 komadno (u cijevi od 25) (bez PDV-a)
€ 125,00
€ 5,00 komadno (u cijevi od 25) (s PDV-om)
25
€ 100,00
€ 4,00 komadno (u cijevi od 25) (bez PDV-a)
€ 125,00
€ 5,00 komadno (u cijevi od 25) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
25
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 4,00 | € 100,00 |
| 50 - 100 | € 3,86 | € 96,50 |
| 125+ | € 3,60 | € 90,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda