Vishay N-Channel MOSFET, 16 A, 400 V, 3-Pin TO-247AC IRFP350PBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 5,49
€ 5,49 komadno (bez PDV-a)
€ 6,86
€ 6,86 komadno (s PDV-om)
Standard
1
€ 5,49
€ 5,49 komadno (bez PDV-a)
€ 6,86
€ 6,86 komadno (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,49 |
| 10 - 49 | € 4,99 |
| 50+ | € 4,92 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda