Vishay D Series N-Channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC IRFP460BPBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 5,89
€ 5,89 komadno (bez PDV-a)
€ 7,36
€ 7,36 komadno (s PDV-om)
Standard
1
€ 5,89
€ 5,89 komadno (bez PDV-a)
€ 7,36
€ 7,36 komadno (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,89 |
| 10+ | € 5,82 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda