Vishay P-Channel MOSFET, 12 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC IRFP9240PBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 4,67
€ 4,67 komadno (bez PDV-a)
€ 5,84
€ 5,84 komadno (s PDV-om)
Standard
1
€ 4,67
€ 4,67 komadno (bez PDV-a)
€ 5,84
€ 5,84 komadno (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,67 |
| 10 - 49 | € 4,28 |
| 50 - 99 | € 4,22 |
| 100 - 249 | € 4,21 |
| 250+ | € 3,97 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda