Vishay P-Channel MOSFET, 9.9 A, 50 V, 3-Pin DPAK IRFR9020TRPBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 181,00
€ 1,81 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 226,25
€ 2,262 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
100
€ 181,00
€ 1,81 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 226,25
€ 2,262 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda