Vishay N-Channel MOSFET, 1.7 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRLD014PBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.4 nC @ 5 V
Width
6.29mm
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 1,28
€ 1,28 Each (Supplied in a Bag) (bez PDV-a)
€ 1,60
€ 1,60 Each (Supplied in a Bag) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (vrećica)
1
€ 1,28
€ 1,28 Each (Supplied in a Bag) (bez PDV-a)
€ 1,60
€ 1,60 Each (Supplied in a Bag) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (vrećica)
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.4 nC @ 5 V
Width
6.29mm
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda