Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA416DJ-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
PowerPAK SC-70
Series
ThunderFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
2.15mm
Length
2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.75mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 1.020,00
€ 0,34 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 1.275,00
€ 0,425 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
€ 1.020,00
€ 0,34 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 1.275,00
€ 0,425 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
PowerPAK SC-70
Series
ThunderFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
2.15mm
Length
2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.75mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda