Vishay E N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin D2PAK SIHB11N80AE-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
E
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.391 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2 → 4V
Number of Elements per Chip
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 71,50
€ 1,43 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 89,38
€ 1,788 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
50
€ 71,50
€ 1,43 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 89,38
€ 1,788 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
E
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.391 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2 → 4V
Number of Elements per Chip
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda