Vishay EF Series N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB155N60EF-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
EF Series
Package Type
TO-263
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 174,00
€ 3,48 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 217,50
€ 4,35 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
50
€ 174,00
€ 3,48 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 217,50
€ 4,35 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 3,48 | € 174,00 |
| 250+ | € 3,46 | € 173,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
EF Series
Package Type
TO-263
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda