N-Channel MOSFET, 8.7 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SIHP8N50D-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.65mm
Transistor Material
Si
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
Proizvodno pakiranje (kolut)
5
Cijena na upit
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
5
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.65mm
Transistor Material
Si
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda