Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3

Name: Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2006869
Availability: LimitedAvailability

RS kataloški broj:: 200-6869robna marka: VishayProizvođački broj:: SIHU6N80AE-GE3

Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

3.2 A, 5 A

Maximum Drain Source Voltage

850 V

Series

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

0.95 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

€ 39,75

€ 1,59 komadno (u pakiranju od 25) (bez PDV-a)

€ 49,69

€ 1,988 komadno (u pakiranju od 25) (s PDV-om)

Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3

€ 39,75

€ 1,59 komadno (u pakiranju od 25) (bez PDV-a)

€ 49,69

€ 1,988 komadno (u pakiranju od 25) (s PDV-om)

Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količina	jedinična cijena	Po pakiranje
25 - 25	€ 1,59	€ 39,75
50 - 100	€ 1,23	€ 30,75
125 - 225	€ 1,18	€ 29,50
250+	€ 0,96	€ 24,00

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda

Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

3.2 A, 5 A

Maximum Drain Source Voltage

850 V

Series

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

0.95 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip