N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR158DP-T1-RE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.12mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.12mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda