Vishay N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR416DP-T1-GE3

RS kataloški broj:: 814-1272robna marka: VishayProizvođački broj:: SIR416DP-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

27 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

4.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

69 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

59 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.26mm

Transistor Material

Si

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 15,50

€ 1,55 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

€ 19,38

€ 1,938 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)

Vishay N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR416DP-T1-GE3
Odaberite vrstu pakiranja

€ 15,50

€ 1,55 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

€ 19,38

€ 1,938 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)

Vishay N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR416DP-T1-GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinajedinična cijenaPo pakiranje
10 - 90€ 1,55€ 15,50
100 - 240€ 1,48€ 14,80
250 - 490€ 1,40€ 14,00
500 - 990€ 1,37€ 13,70
1000+€ 1,33€ 13,30

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

27 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

4.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

69 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

59 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.26mm

Transistor Material

Si

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više