Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual SQJ208EP-T1_GE3

RS kataloški broj:: 188-5101robna marka: VishayProizvođački broj:: SQJ208EP-T1_GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A, 60 A

Maximum Drain Source Voltage

40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V

Package Type

PowerPAK SO-8L Dual

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

0.0067 (Channel 2) Ω, 0.016 (Channel 1) Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V

Maximum Power Dissipation

27 W, 48 W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

2

Width

4.47mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V (Channel 1), 48.2 nC @ 10 V (Channel 2)

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.01mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 16,40

€ 1,64 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

€ 20,50

€ 2,05 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual SQJ208EP-T1_GE3
Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10€ 16,40
20€ 32,80
30€ 49,20
40€ 65,60
50€ 82,00
60€ 98,40
70€ 114,80
80€ 131,20
90€ 147,60
100€ 158,00
110€ 173,80
120€ 189,60
130€ 205,40
140€ 221,20
150€ 237,00

€ 16,40

€ 1,64 komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)

€ 20,50

€ 2,05 komadno (u pakiranju od 10) (s PDV-om)

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual SQJ208EP-T1_GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Standard

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 10.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 10.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

10

Dostupno u više komada 10
10€ 16,40
20€ 32,80
30€ 49,20
40€ 65,60
50€ 82,00
60€ 98,40
70€ 114,80
80€ 131,20
90€ 147,60
100€ 158,00
110€ 173,80
120€ 189,60
130€ 205,40
140€ 221,20
150€ 237,00

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinajedinična cijenaPo pakiranje
10 - 90€ 1,64€ 16,40
100 - 240€ 1,58€ 15,80
250 - 490€ 1,38€ 13,80
500 - 990€ 1,17€ 11,70
1000+€ 1,03€ 10,30

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A, 60 A

Maximum Drain Source Voltage

40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V

Package Type

PowerPAK SO-8L Dual

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

0.0067 (Channel 2) Ω, 0.016 (Channel 1) Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V

Maximum Power Dissipation

27 W, 48 W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

2

Width

4.47mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V (Channel 1), 48.2 nC @ 10 V (Channel 2)

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.01mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više