Vishay N-Channel MOSFET, 45 A, 250 V, 3-Pin D2PAK SUM45N25-58-E3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
58 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Taiwan, Province Of China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 5,50
€ 5,50 komadno (bez PDV-a)
€ 6,88
€ 6,88 komadno (s PDV-om)
Standard
1
€ 5,50
€ 5,50 komadno (bez PDV-a)
€ 6,88
€ 6,88 komadno (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,50 |
| 10 - 49 | € 5,03 |
| 50 - 99 | € 4,64 |
| 100 - 249 | € 4,42 |
| 250+ | € 3,97 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
58 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Taiwan, Province Of China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda