Vishay N-Channel MOSFET, 65 A, 200 V, 3-Pin D2PAK SUM65N20-30-E3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
84 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
90 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
9.652mm
Transistor Material
Si
Height
4.826mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 9,68
€ 4,84 komadno (u pakiranju od 2) (bez PDV-a)
€ 12,10
€ 6,05 komadno (u pakiranju od 2) (s PDV-om)
Standard
2
€ 9,68
€ 4,84 komadno (u pakiranju od 2) (bez PDV-a)
€ 12,10
€ 6,05 komadno (u pakiranju od 2) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
84 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
90 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
9.652mm
Transistor Material
Si
Height
4.826mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda