Wolfspeed C3M SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK C3M0120100J
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Series
C3M
Package Type
TO-263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+15 V, +9 V
Width
9.12mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Length
10.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.5 @ 4/+15 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.32mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 819,00
€ 16,38 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 1.023,75
€ 20,475 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
50
€ 819,00
€ 16,38 komadno (u cijevi od 50) (bez PDV-a)
€ 1.023,75
€ 20,475 komadno (u cijevi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po cijev |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 16,38 | € 819,00 |
| 150+ | € 15,97 | € 798,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Series
C3M
Package Type
TO-263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+15 V, +9 V
Width
9.12mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Length
10.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.5 @ 4/+15 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.32mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda