onsemi 2SK3557-7-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 16 to 32mA, 3-Pin CP

RS kataloški broj:: 792-5167Pbrend: onsemiProizvođački broj:: 2SK3557-7-TB-E
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

16 to 32mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

2.9pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 60,092

komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 72,11

komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

onsemi 2SK3557-7-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 16 to 32mA, 3-Pin CP
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

200

Dostupno u više komada 20
200RSD 12.018
220RSD 13.220
240RSD 14.422
260RSD 15.624
280RSD 16.826
300RSD 18.028
320RSD 19.229
340RSD 20.431
360RSD 21.633
200RSD 12.018
220RSD 13.220
240RSD 14.422
260RSD 15.624
280RSD 16.826
300RSD 18.028

RSD 60,092

komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 72,11

komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

onsemi 2SK3557-7-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 16 to 32mA, 3-Pin CP
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

200

Dostupno u više komada 20
200RSD 12.018
220RSD 13.220
240RSD 14.422
260RSD 15.624
280RSD 16.826
300RSD 18.028
320RSD 19.229
340RSD 20.431
360RSD 21.633
200RSD 12.018
220RSD 13.220
240RSD 14.422
260RSD 15.624
280RSD 16.826
300RSD 18.028

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo kolut
200 - 480RSD 60,092RSD 1.202
500 - 980RSD 54,867RSD 1.097
1000 - 1980RSD 49,641RSD 993
2000+RSD 47,029RSD 941

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

16 to 32mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

2.9pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više