Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
SemikronMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
P.O.A.
Semikron SKM100GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
8
P.O.A.
Semikron SKM100GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
8
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
SemikronMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge