N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW48N60DM2

RS kataloški broj:: 111-6484brend: STMicroelectronicsProizvođački broj:: STW48N60DM2
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

79 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

20.15mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.356

RSD 1.356 Each (bez PDV-a)

RSD 1.627

RSD 1.627 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW48N60DM2
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 1.356
2RSD 2.712
3RSD 4.068
4RSD 5.424
5RSD 6.780
6RSD 8.136
7RSD 9.492
8RSD 10.848
9RSD 12.204
10RSD 13.560
11RSD 14.916
12RSD 16.272
13RSD 17.628
14RSD 18.984
15RSD 20.340

RSD 1.356

RSD 1.356 Each (bez PDV-a)

RSD 1.627

RSD 1.627 Each (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW48N60DM2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1RSD 1.356
2RSD 2.712
3RSD 4.068
4RSD 5.424
5RSD 6.780
6RSD 8.136
7RSD 9.492
8RSD 10.848
9RSD 12.204
10RSD 13.560
11RSD 14.916
12RSD 16.272
13RSD 17.628
14RSD 18.984
15RSD 20.340

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

79 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75mm

Width

5.15mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

20.15mm

Detalji o proizvodu

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više