N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Toshiba TK14G65W,RQ(S
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13.7 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
DTMOSIV
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
8.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Height
4.46mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 1.966
RSD 393,211 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 2.359
RSD 471,853 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
5
RSD 1.966
RSD 393,211 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 2.359
RSD 471,853 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
5
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RSD 393,211 | RSD 1.966 |
| 25 - 45 | RSD 346,182 | RSD 1.731 |
| 50 - 245 | RSD 344,876 | RSD 1.724 |
| 250+ | RSD 343,57 | RSD 1.718 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13.7 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
DTMOSIV
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
8.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Height
4.46mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda