N-Channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC Vishay IRFP460BPBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.82mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 762
RSD 762 Each (bez PDV-a)
RSD 914
RSD 914 Each (s PDV-om)
Standard
1
RSD 762
RSD 762 Each (bez PDV-a)
RSD 914
RSD 914 Each (s PDV-om)
Standard
1
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cena |
|---|---|
| 1 - 9 | RSD 762 |
| 10+ | RSD 751 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.82mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda