P-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin DPAK Vishay IRFR9120TRPBF
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proverite ponovno kasnije.
RSD 128,022
komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)
RSD 153,626
komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)
2000
RSD 128,022
komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)
RSD 153,626
komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)
2000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda