Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 SI3477DV-T1-GE3

RS kataloški broj:: 812-3160Pbrend: VishayProizvođački broj:: SI3477DV-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Width

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

58 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

RSD 16.199

RSD 80,994 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 19.438

RSD 97,193 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 SI3477DV-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

200

Dostupno u više komada 20
200RSD 16.199
220RSD 17.819
240RSD 19.438
260RSD 21.058
280RSD 22.678
300RSD 24.298
320RSD 25.918
340RSD 27.538
360RSD 29.158
380RSD 30.778
400RSD 32.397
420RSD 34.017
440RSD 35.637
460RSD 37.257
480RSD 38.877

RSD 16.199

RSD 80,994 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 19.438

RSD 97,193 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 SI3477DV-T1-GE3

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 20.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 20.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

200

Dostupno u više komada 20
200RSD 16.199
220RSD 17.819
240RSD 19.438
260RSD 21.058
280RSD 22.678
300RSD 24.298
320RSD 25.918
340RSD 27.538
360RSD 29.158
380RSD 30.778
400RSD 32.397
420RSD 34.017
440RSD 35.637
460RSD 37.257
480RSD 38.877

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinaJedinična cenaPo kolut
200 - 980RSD 80,994RSD 1.620
1000 - 1980RSD 74,462RSD 1.489
2000+RSD 73,156RSD 1.463

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Width

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

58 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više