N-Channel MOSFET, 19 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR462DP-T1-GE3

RS kataloški broj:: 710-3402brend: VishayProizvođački broj:: SIR462DP-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

4.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

4.9mm

Width

5.89mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.04mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 165,906

komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 199,087

komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 19 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR462DP-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 830
10RSD 1.659
15RSD 2.489
20RSD 3.318
25RSD 4.148
30RSD 4.977
35RSD 5.807
40RSD 6.636
45RSD 7.466
50RSD 7.969
55RSD 8.766
60RSD 9.562
65RSD 10.359
70RSD 11.156
75RSD 11.953

RSD 165,906

komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)

RSD 199,087

komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 19 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR462DP-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5RSD 830
10RSD 1.659
15RSD 2.489
20RSD 3.318
25RSD 4.148
30RSD 4.977
35RSD 5.807
40RSD 6.636
45RSD 7.466
50RSD 7.969
55RSD 8.766
60RSD 9.562
65RSD 10.359
70RSD 11.156
75RSD 11.953

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
5 - 45RSD 165,906RSD 830
50 - 245RSD 159,375RSD 797
250 - 495RSD 122,797RSD 614
500 - 1245RSD 118,878RSD 594
1250+RSD 109,733RSD 549

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

4.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

4.9mm

Width

5.89mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.04mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više