Infineon Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1

RS kataloški broj:: 214-9062robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPG20N06S4L11AATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

SuperSO8 5 x 6 Dual

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0112 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 37,36

KM 3,736 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 43,71

KM 4,371 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

Infineon Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1
Odaberite vrstu pakovanja

KM 37,36

KM 3,736 Each (In a Pack of 10) (bez PDV-a)

KM 43,71

KM 4,371 Each (In a Pack of 10) (s PDV-om)

Infineon Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
10 - 40KM 3,736KM 37,36
50 - 90KM 3,599KM 35,99
100 - 240KM 3,579KM 35,79
250 - 490KM 3,56KM 35,60
500+KM 3,442KM 34,42

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

SuperSO8 5 x 6 Dual

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0112 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više