STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1500 V, 3-Pin H2PAK-2 STH3N150-2
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Series
MDmesh
Package Type
H2PAK-2
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
15.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.8mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 12,24
€ 6,12 Each (In a Pack of 2) (bez PDV-a)
€ 14,32
€ 7,16 Each (In a Pack of 2) (s PDV-om)
Standard
2
€ 12,24
€ 6,12 Each (In a Pack of 2) (bez PDV-a)
€ 14,32
€ 7,16 Each (In a Pack of 2) (s PDV-om)
Standard
2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Series
MDmesh
Package Type
H2PAK-2
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
15.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.8mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda