Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A

RS kataloški broj:: 827-4909Pbrend: Texas InstrumentsProizvođački broj:: CSD18563Q5A
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

VSONP

Series

NexFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

10.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5.8mm

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 5.781

RSD 231,224 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 6.937

RSD 277,469 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

25

Dostupno u više komada 5
25RSD 5.781
30RSD 6.937
35RSD 8.093
40RSD 9.249
45RSD 10.405
50RSD 11.561
55RSD 12.717
60RSD 13.873
65RSD 15.030
70RSD 16.186
75RSD 17.342
80RSD 18.498
85RSD 19.654
90RSD 20.810
95RSD 21.966

RSD 5.781

RSD 231,224 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)

RSD 6.937

RSD 277,469 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

25

Dostupno u više komada 5
25RSD 5.781
30RSD 6.937
35RSD 8.093
40RSD 9.249
45RSD 10.405
50RSD 11.561
55RSD 12.717
60RSD 13.873
65RSD 15.030
70RSD 16.186
75RSD 17.342
80RSD 18.498
85RSD 19.654
90RSD 20.810
95RSD 21.966

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

količinaJedinična cenaPo kolut
25 - 95RSD 231,224RSD 1.156
100 - 245RSD 210,322RSD 1.052
250 - 495RSD 205,097RSD 1.025
500+RSD 201,178RSD 1.006

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

VSONP

Series

NexFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

10.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5.8mm

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalji o proizvodu

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više