Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3

RS kataloški broj:: 710-3323robna marka: VishayProizvođački broj:: SI4162DY-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 10,37

KM 2,073 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 12,13

KM 2,425 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 10,37
10KM 20,73
15KM 31,10
20KM 41,46
25KM 51,83
30KM 62,19
35KM 72,56
40KM 82,93
45KM 93,29
50KM 99,75
55KM 109,72
60KM 119,69
65KM 129,67
70KM 139,64
75KM 149,62

KM 10,37

KM 2,073 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 12,13

KM 2,425 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 10,37
10KM 20,73
15KM 31,10
20KM 41,46
25KM 51,83
30KM 62,19
35KM 72,56
40KM 82,93
45KM 93,29
50KM 99,75
55KM 109,72
60KM 119,69
65KM 129,67
70KM 139,64
75KM 149,62

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
5 - 45KM 2,073KM 10,37
50 - 245KM 1,995KM 9,97
250 - 495KM 1,878KM 9,39
500 - 1245KM 1,838KM 9,19
1250+KM 1,799KM 9,00

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više