Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5858brend: InfineonProizvođački broj:: IPB029N06NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 184,195

komad (u Reel od 800) (bez PDV-a)

RSD 221,034

komad (u Reel od 800) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

800

Dostupno u više komada 800
800RSD 147.356
1600RSD 294.712
2400RSD 442.069
3200RSD 589.425
4000RSD 736.781
4800RSD 884.137
5600RSD 1.031.493
6400RSD 1.178.849
7200RSD 1.326.206
8000RSD 1.473.562
8800RSD 1.620.918
9600RSD 1.768.274
10400RSD 1.915.630
11200RSD 2.062.986
12000RSD 2.210.343

RSD 184,195

komad (u Reel od 800) (bez PDV-a)

RSD 221,034

komad (u Reel od 800) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

800

Dostupno u više komada 800
800RSD 147.356
1600RSD 294.712
2400RSD 442.069
3200RSD 589.425
4000RSD 736.781
4800RSD 884.137
5600RSD 1.031.493
6400RSD 1.178.849
7200RSD 1.326.206
8000RSD 1.473.562
8800RSD 1.620.918
9600RSD 1.768.274
10400RSD 1.915.630
11200RSD 2.062.986
12000RSD 2.210.343

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više