Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5864brend: InfineonProizvođački broj:: IPD029N04NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

131 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 88,832

komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 106,598

komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 177.663
4000RSD 355.327
6000RSD 532.990
8000RSD 710.654
10000RSD 888.317
12000RSD 1.065.981
14000RSD 1.243.644
16000RSD 1.421.308
18000RSD 1.598.971
20000RSD 1.776.635
22000RSD 1.954.298
24000RSD 2.131.962
26000RSD 2.309.625
28000RSD 2.487.288
30000RSD 2.664.952

RSD 88,832

komad (u Reel od 2000) (bez PDV-a)

RSD 106,598

komad (u Reel od 2000) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2000

Dostupno u više komada 2000
2000RSD 177.663
4000RSD 355.327
6000RSD 532.990
8000RSD 710.654
10000RSD 888.317
12000RSD 1.065.981
14000RSD 1.243.644
16000RSD 1.421.308
18000RSD 1.598.971
20000RSD 1.776.635
22000RSD 1.954.298
24000RSD 2.131.962
26000RSD 2.309.625
28000RSD 2.487.288
30000RSD 2.664.952

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

131 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više