N-Channel MOSFET, 17.5 A, 700 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R190CFDFKSA1

RS kataloški broj:: 906-4384brend: InfineonProizvođački broj:: IPW65R190CFD
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Series

CoolMOS™ CFD

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

151 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.13mm

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Width

5.21mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.9V

Height

21.1mm

Detalji o proizvodu

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 1.202

RSD 300,46 komadno (u pakovanju od 4) (bez PDV-a)

RSD 1.442

RSD 360,552 komadno (u pakovanju od 4) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 17.5 A, 700 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R190CFDFKSA1
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 4.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 4.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

4

Dostupno u više komada 4
4RSD 1.202
8RSD 2.404
12RSD 3.606
16RSD 4.807
20RSD 6.009
24RSD 7.211
28RSD 8.413
32RSD 9.615
36RSD 10.817
40RSD 12.018
44RSD 13.220
48RSD 14.422
52RSD 15.624
56RSD 16.826
60RSD 18.028

RSD 1.202

RSD 300,46 komadno (u pakovanju od 4) (bez PDV-a)

RSD 1.442

RSD 360,552 komadno (u pakovanju od 4) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 17.5 A, 700 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R190CFDFKSA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 4.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 4.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

4

Dostupno u više komada 4
4RSD 1.202
8RSD 2.404
12RSD 3.606
16RSD 4.807
20RSD 6.009
24RSD 7.211
28RSD 8.413
32RSD 9.615
36RSD 10.817
40RSD 12.018
44RSD 13.220
48RSD 14.422
52RSD 15.624
56RSD 16.826
60RSD 18.028

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17.5 A

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Series

CoolMOS™ CFD

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

151 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.13mm

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Width

5.21mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.9V

Height

21.1mm

Detalji o proizvodu

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više