onsemi J113 N-Channel JFET, Idss min. 2mA, 3-Pin TO-92

RS kataloški broj:: 806-1766brend: onsemiProizvođački broj:: J113
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 2mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

100 Ω

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-92

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

5.2 x 4.19 x 5.33mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.2mm

Height

5.33mm

Width

4.19mm

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

RSD 53,56

komadno (u pakovanju od 50) (bez PDV-a)

RSD 64,272

komadno (u pakovanju od 50) (s PDV-om)

onsemi J113 N-Channel JFET, Idss min. 2mA, 3-Pin TO-92
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 50.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 50.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

50

Dostupno u više komada 50
50RSD 2.678
100RSD 5.356
150RSD 8.034
200RSD 10.712
250RSD 13.390
300RSD 16.068
350RSD 18.746
400RSD 21.424
450RSD 24.102
500RSD 23.514
550RSD 25.866
600RSD 28.217
650RSD 30.569
700RSD 32.920
750RSD 35.271

RSD 53,56

komadno (u pakovanju od 50) (bez PDV-a)

RSD 64,272

komadno (u pakovanju od 50) (s PDV-om)

onsemi J113 N-Channel JFET, Idss min. 2mA, 3-Pin TO-92
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Standard

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 50.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 50.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u mašine, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

50

Dostupno u više komada 50
50RSD 2.678
100RSD 5.356
150RSD 8.034
200RSD 10.712
250RSD 13.390
300RSD 16.068
350RSD 18.746
400RSD 21.424
450RSD 24.102
500RSD 23.514
550RSD 25.866
600RSD 28.217
650RSD 30.569
700RSD 32.920
750RSD 35.271

Kupujte na veliko

količinaJedinična cenaPo pakovanje
50 - 450RSD 53,56RSD 2.678
500+RSD 47,029RSD 2.351

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 2mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

100 Ω

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-92

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

5.2 x 4.19 x 5.33mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.2mm

Height

5.33mm

Width

4.19mm

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više