SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA30N120

Name: SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA30N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2025493

RS kataloški broj:: 202-5493brend: STMicroelectronicsProizvođački broj:: SCTWA30N120

Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

0.09 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Proverite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA30N120

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA30N120

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda

Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

0.09 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip